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            Microelectronic Engineering
            收藏雜志
            • 數(shù)據(jù)庫收錄SCIE
            • 創(chuàng)刊年份1983年
            • 年發(fā)文量100
            • H-index89

            Microelectronic Engineering

            期刊中文名:微電子工程ISSN:0167-9317E-ISSN:1873-5568

            該雜志國際簡稱:MICROELECTRON ENG,是由出版商Elsevier出版的一本致力于發(fā)布工程技術(shù)研究新成果的的專業(yè)學術(shù)期刊。該雜志以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究為重點,主要發(fā)表刊登有創(chuàng)見的學術(shù)論文文章、行業(yè)最新科研成果,扼要報道階段性研究成果和重要研究工作的最新進展,選載對學科發(fā)展起指導(dǎo)作用的綜述與專論,促進學術(shù)發(fā)展,為廣大讀者服務(wù)。該刊是一本國際優(yōu)秀雜志,在國際上有很高的學術(shù)影響力。

            基本信息:
            期刊簡稱:MICROELECTRON ENG
            是否OA:未開放
            是否預(yù)警:
            Gold OA文章占比:15.94%
            出版信息:
            出版地區(qū):NETHERLANDS
            出版周期:Monthly
            出版語言:English
            出版商:Elsevier
            評價信息:
            中科院分區(qū):4區(qū)
            JCR分區(qū):Q2
            影響因子:2.6
            CiteScore:5.3
            雜志介紹 中科院JCR分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 投稿經(jīng)驗

            雜志介紹

            Microelectronic Engineering雜志介紹

            《Microelectronic Engineering》是一本以English為主的未開放獲取國際優(yōu)秀期刊,中文名稱微電子工程,本刊主要出版、報道工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究動態(tài)以及在該領(lǐng)域取得的各方面的經(jīng)驗和科研成果,介紹該領(lǐng)域有關(guān)本專業(yè)的最新進展,探討行業(yè)發(fā)展的思路和方法,以促進學術(shù)信息交流,提高行業(yè)發(fā)展。該刊已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,為該領(lǐng)域相關(guān)學科的發(fā)展起到了良好的推動作用,也得到了本專業(yè)人員的廣泛認可。該刊最新影響因子為2.6,最新CiteScore 指數(shù)為5.3。

            本刊近期中國學者發(fā)表的論文主要有:

            • Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures

              Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu

            • Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior

              Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong

            • La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory

              Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei

            • A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling

              Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang

            英文介紹

            Microelectronic Engineering雜志英文介紹

            Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.

            中科院SCI分區(qū)

            Microelectronic Engineering雜志中科院分區(qū)信息

            2023年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 4區(qū)
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 4區(qū)

            OPTICS
            光學 4區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 4區(qū)

            2022年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 3區(qū)
            小類:

            OPTICS
            光學 3區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 3區(qū)

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 4區(qū)

            2021年12月舊的升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 3區(qū)
            小類:

            OPTICS
            光學 3區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 3區(qū)

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 4區(qū)

            2021年12月基礎(chǔ)版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 4區(qū)
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 4區(qū)

            OPTICS
            光學 4區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 4區(qū)

            2021年12月升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 3區(qū)
            小類:

            OPTICS
            光學 3區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 3區(qū)

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 4區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 4區(qū)

            2020年12月舊的升級版
            綜述:
            TOP期刊:
            大類:工程技術(shù) 3區(qū)
            小類:

            ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            工程:電子與電氣 3區(qū)

            NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            納米科技 3區(qū)

            OPTICS
            光學 3區(qū)

            PHYSICS, APPLIED
            物理:應(yīng)用 3區(qū)

            中科院SCI分區(qū):是中國科學院文獻情報中心科學計量中心的科學研究成果。期刊分區(qū)表自2004年開始發(fā)布,延續(xù)至今;2019年推出升級版,實現(xiàn)基礎(chǔ)版、升級版并存過渡,2022年只發(fā)布升級版,期刊分區(qū)表數(shù)據(jù)每年底發(fā)布。 中科院分區(qū)為4個區(qū)。中科院分區(qū)采用刊物前3年影響因子平均值進行分區(qū),即前5%為該類1區(qū),6%~20%為2區(qū)、21%~50%為3區(qū),其余的為4區(qū)。1區(qū)和2區(qū)雜志很少,雜志質(zhì)量相對也高,基本都是本領(lǐng)域的頂級期刊。

            JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

            Microelectronic Engineering雜志 JCR分區(qū)信息

            按JIF指標學科分區(qū)
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q2
            排名:157 / 352
            百分位:

            55.5%

            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q3
            排名:94 / 140
            百分位:

            33.2%

            學科:OPTICS
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q2
            排名:45 / 119
            百分位:

            62.6%

            學科:PHYSICS, APPLIED
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q2
            排名:81 / 179
            百分位:

            55%

            按JCI指標學科分區(qū)
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q3
            排名:179 / 354
            百分位:

            49.58%

            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q3
            排名:74 / 140
            百分位:

            47.5%

            學科:OPTICS
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q3
            排名:64 / 120
            百分位:

            47.08%

            學科:PHYSICS, APPLIED
            收錄子集:SCIE
            分區(qū):Q2
            排名:88 / 179
            百分位:

            51.12%

            JCR分區(qū):JCR分區(qū)來自科睿唯安公司,JCR是一個獨特的多學科期刊評價工具,為唯一提供基于引文數(shù)據(jù)的統(tǒng)計信息的期刊評價資源。每年發(fā)布的JCR分區(qū),設(shè)置了254個具體學科。JCR分區(qū)根據(jù)每個學科分類按照期刊當年的影響因子高低將期刊平均分為4個區(qū),分別為Q1、Q2、Q3和Q4,各占25%。JCR分區(qū)中期刊的數(shù)量是均勻分為四個部分的。

            CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

            Microelectronic Engineering雜志CiteScore 評價數(shù)據(jù)

            • CiteScore 值:5.3
            • SJR:0.503
            • SNIP:0.847
            學科類別 分區(qū) 排名 百分位
            大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

            70%

            大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

            69%

            大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

            69%

            大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

            69%

            大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

            68%

            歷年影響因子和期刊自引率

            投稿經(jīng)驗

            Microelectronic Engineering雜志投稿經(jīng)驗

            該雜志是一本國際優(yōu)秀雜志,在國際上有較高的學術(shù)影響力,行業(yè)關(guān)注度很高,已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC綜合專業(yè)領(lǐng)域?qū)I(yè)度認可很高,對稿件內(nèi)容的創(chuàng)新性和學術(shù)性要求很高,作為一本國際優(yōu)秀雜志,一般投稿過審時間都較長,投稿過審時間平均 約6.0個月 ,如果想投稿該刊要做好時間安排。版面費不祥。該雜志近兩年未被列入預(yù)警名單,建議您投稿。如您想了解更多投稿政策及投稿方案,請咨詢客服。

            免責聲明

            若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。

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